鄰社信息國(guó)內(nèi)兩項(xiàng)Micro LED顯示屏相關(guān)科研取得新
來(lái)源：司令 發(fā)布日期
2023-03-30 瀏覽：
自2021年3月獲科技部批復(fù)組建以來(lái)，國(guó)家新型顯示技術(shù)創(chuàng)新中心在創(chuàng)新平臺(tái)建設(shè)與運(yùn)營(yíng)、戰(zhàn)略研究與規(guī)劃部署、新型顯示材料與制造裝備國(guó)產(chǎn)化、知識(shí)產(chǎn)權(quán)與標(biāo)準(zhǔn)、產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈建設(shè)等方面取得明顯成效。
該中心重點(diǎn)突破材料、器件、面板工藝和裝備技術(shù)瓶頸，解決我國(guó)新型顯示產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵材料與核心裝備環(huán)節(jié)短板，構(gòu)建自主可控、安全可靠的新型顯示產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈，積極打造世界級(jí)新型顯示產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈。
近日，國(guó)家新型顯示技術(shù)創(chuàng)新中心又有兩項(xiàng)科研取得新進(jìn)展，分別是Micro LED創(chuàng)新平臺(tái)在超高密度Micro LED鍵合凸點(diǎn)的規(guī)?；苽?，以及視覺(jué)健康與感知?jiǎng)?chuàng)新平臺(tái)在偏振體全息（PVG）光波導(dǎo)AR顯示技術(shù)。
Micro LED創(chuàng)新平臺(tái)在超高密度Micro LED鍵合凸點(diǎn)的規(guī)?；苽?/span>
近日，國(guó)家新型顯示技術(shù)創(chuàng)新中心Micro LED創(chuàng)新平臺(tái)牽頭單位福州大學(xué)郭太良教授團(tuán)隊(duì)嚴(yán)群和孫捷課題組在超高密度微米級(jí)LED（Micro LED）鍵合凸點(diǎn)的規(guī)模化制備方面取得重要進(jìn)展，并在著名期刊《美國(guó)化學(xué)學(xué)會(huì)應(yīng)用電子材料》（ACS Applied Electronic Materials）上發(fā)表研究論文。
課題組認(rèn)為，化學(xué)鍍成本低且不會(huì)受真空鍍膜技術(shù)中金屬剝離光刻諸多工藝重復(fù)性不利因素的影響，是在超高密度Micro LED領(lǐng)域非常具有前景的凸點(diǎn)制備技術(shù)。同時(shí)因化學(xué)鍍不涉及電學(xué)控制，其制備凸點(diǎn)比電鍍更為均勻。
該研究報(bào)告了通過(guò)化學(xué)鍍（ENIG）制備超小間距Ni/Au凸點(diǎn)的全工藝流程，凸點(diǎn)高度達(dá)4微米，周期僅有8微米，重復(fù)性良好。研究還表明，廉價(jià)金屬鐵和鎳可用來(lái)催化化學(xué)鍍鎳工藝的反應(yīng)。
結(jié)果顯示，晶圓上凸點(diǎn)均勻一致且內(nèi)部沒(méi)有發(fā)現(xiàn)空隙或雜質(zhì)，有利于接下來(lái)的鍵合互連過(guò)程，為超高密度Micro-LED顯示芯片與其主動(dòng)驅(qū)動(dòng)芯片的集成，實(shí)現(xiàn)電學(xué)和機(jī)械的互連提供了一條低成本、高重復(fù)性的路徑，對(duì)產(chǎn)業(yè)化非常有價(jià)值，下一步擬實(shí)用于樣機(jī)制備中。
視覺(jué)健康與感知?jiǎng)?chuàng)新平臺(tái)在偏振體全息（PVG）光波導(dǎo)AR顯示技術(shù)
近日，國(guó)家新型顯示技術(shù)創(chuàng)新中心視覺(jué)健康與感知?jiǎng)?chuàng)新平臺(tái)牽頭單位東南大學(xué)張宇寧教授研究團(tuán)隊(duì)在美國(guó)光學(xué)學(xué)會(huì)主辦的傳統(tǒng)期刊《光學(xué)快報(bào)》（Optics Express）發(fā)表論文，提出了一種基于新型偏振體全息（PVG）波導(dǎo)的二維擴(kuò)瞳設(shè)計(jì)與制備方法。
根據(jù)所提出的技術(shù)方案，研究團(tuán)隊(duì)搭建了基于微米級(jí)LED（Micro LED）像源的原理樣機(jī)系統(tǒng)。得益于PVG波導(dǎo)技術(shù)自身優(yōu)異的衍射性能和優(yōu)化設(shè)計(jì)，該波導(dǎo)技術(shù)方案在實(shí)現(xiàn)近20倍光瞳放大率的同時(shí)，光學(xué)效率高達(dá)3.8%，而背面漏光率僅為8.7%，有效突破了現(xiàn)有衍射光波導(dǎo)技術(shù)中普遍存在的效率低、漏光嚴(yán)重瓶頸問(wèn)題，為AR衍射光波導(dǎo)技術(shù)的進(jìn)一步應(yīng)用與發(fā)展提供了有力支撐。
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